به گزارش خبرنگار علمی باشگاه خبرنگاران دانشمندان اقدام به طراحی و ساخت مدارات بسیار پیچیده در ساخت سلول های خورشیدی کردند.

محققان آزمایشگاه تحقیقاتی نیروی دریایی ایالات متحده با انجام تکنیکی بر روی نانو بلورهای سولفید سرب و ایجاد گپ های الکترون ولتی با انرژي غیر معمول موفق به ذخیره سازی بالاترین ولتاژ  از سلول های خورشیدی تاکنون شدند.

به گفته محققان میزان انرژی باند گپ های کریستال های معمولی حدود 10 الکترون ولت بوده که این گروه محقق با تکنیکی خاص آنرا به حدود 1/4 الکترون ولت افزایش داند.

پژوهشگران می گویند: افزایش ولتاژ باند گپ به بهبود شرایط مداری سلول های خورشیدی منجر و از طرف دیگر سبب افزایش ولتاژ ذخیره سازی آنها می گردد.

کاهش هزینه های تولید سلول های خورشیدی و افزایش انرژی ذخیره سازی آنها دو هدف کلی دانشمندان در پیشرفت سلول های خورشیدی است که در تحقیقات فوق به هر دو نایل آمده و راه را جهت استفاده در وسایل و تجهیزات مختلف مثل زیر دریایی و کشتی ها مساعد نموده اند./ع2