گزارش‌های جدید از افزایش سرعت شارژ گوشی‌های گیمینگ تا ۱۰۰ وات با تراشه اسنپدراگون ۸۷۵ خبر می‌دهند.

به گزارش خبرنگار حوزه دریچه فناوری گروه فضای مجازی باشگاه خبرنگاران جوان، بر اساس جدیدترین گزارش منتشر شده در فضای مجازی، تلفن‌های هوشمند دارای تراشه اسنپدراگون ۸۷۵، توانایی شارژ با سرعت ۱۰۰ وات را دارند.

اسنپدراگون ۸۷۵، تراشه پرچم‌دار آینده کوالکام است که انتظار می‌رود یک نسخه قابل توجه نسبت به اسنپدراگون ۸۶۵ SoC فعلی باشد. اسنپدراگون ۸۶۵ توسط یک فرایند ۷ نانومتری تولید می‌شود، در حالی که تراشه سیلیکونی آینده توسط فرایند ۵ نانومتر ساخته شده و این امر باعث سریع‌تر و کارآمدتر شدن آن می‌شود.

این گزارش همچنین ادعا می‌کند که تلفن‌های هوشمند گیمینگ سال آینده که از تراشه جدید کوالکام بهره می‌برند علاوه بر پشتیبانی از شارژ سریع، باتری‌های بزرگی نیز دارند. به نظر می‌رسد که این یک ترکیب برنده باشد، زیرا نه تنها سرعت شارژ بهتر می‌شود، بلکه ظرفیت باتری نیز افزایش می‌یابد. این مسئله به کاربران این امکان را می‌دهد که تجربه بهتری هنگام استفاده از دستگاه خود داشته باشند.


بیشتر بخوانید


افزایش فوق‌العاده سرعت شارژ گوشی‌های گیمینگ با تراشه اسنپدراگون ۸۷۵

آسیب فناوری شارژ سریع به باتری

شیائومی پیشتر فناوری شارژ سریع ۱۰۰ واتی خود را معرفی کرده بود. با این شارژ می‌توان یک باتری ۴۰۰۰ میلی‌آمپری را در عرض تنها ۱۷ دقیقه به طور کامل شارژ کرد. باید به این مسئله توجه کرد که شارژ سریع ۱۰۰ واتی تنها روی کاغذ خوب است، زیرا می‌تواند به باتری شما ضرر زیادی برساند. اوپو اذعان کرده است که فناوری شارژ سریع ۴۰ واتی آن، سریع‌تر از نسخه ۱۵ واتی عمر باتری را کاهش می‌دهد. همچنین معاون رئیس شیائومی هشدار داده است که شارژ سریع محدودیت‌های زیادی دارد که از جمله آن‌ها می‌توان به کم شدن ظرفیت باتری، مسائل اجرایی، مشکلات پایداری و شرایط سازگاری اشاره کرد.

انجام طولانی مدت بازی در حال حاضر به باتری عظیم احتیاج دارند؛ این مسئله خود توضیح می‌دهد که چرا ASUS ROG PHONE II همراه با یک باتری عظیم ۶۰۰۰ میلی‌آمپری همراه است.

انتهای پیام/

اخبار پیشنهادی
تبادل نظر
آدرس ایمیل خود را با فرمت مناسب وارد نمایید.