افزايش عملکرد"پيل‌هاي خورشيدي"
پژوهشگران، موفق به تولید نانوسیم‌های کواکسیالی از جنس مواد نیمه‌هادی شدند.
به گزارش خبرنگار فناوری‌های نوین باشگاه خبرنگاران؛ پژوهشگران، موفق به تولید نانوسیم‌های کواکسیالی از جنس مواد نیمه‌هادی شدند.
پژوهشگران دانشگاه ایلینویز موفق به تولید نانوسیم‌هایی آزاد روی سطح گرافن شدند. این نانوسیم‌ها از جنس ترکیبات نیمه‌هادی بوده که برای تولید لیزرهای و پیل‌های خورشیدی بسیار مناسب هستند.
زیلینگ لی استاد رشته مهندسی کامپیوتر و الکترونیک این دانشگاه می‌گوید: در طول دو دهه گذشته تحقیقات در حوزه نانوسیم‌های نیمه‌هادی موجب شده تا درک ما از آرایش اتمی و خواص این ساختارها بهبود یابد.
پارسیان محسنی از محققان این پروژه می‌گوید: در این پژوهش، ما مشکل جدا شدن فازها را حل کردیم و توانستیم نانوسیم‌های InGaAs را با موفقیت رشد دهیم، سپس از این نانوسیم‌ها در ساخت پیل خورشیدی استفاده کردیم که نتایج نشان داد که عملکرد این پیل‌ها بهبود یافته است.
محسنی می‌افزاید: بسته به نوع مواد، نانوسیم‌ها می‌توانند در حوزه‌های اپتوالکترونیک و الکترونیک مورد استفاده قرار گیرند. مهمترین مزیت پیل‌های خورشید ساخته شده از عناصر گروه سوم و پنجم آن است که هزینه تولید آنها پایین بوده و نیاز به زیرلایه ندارند بنابراین به راحتی می توان آنها را روی ادوات انعطاف‌پذیر دیگر قرار داد.
نتایج آزمایشات انجام شده روی پیل خورشیدی ساخته شده با این روش، نشان داد که بازده تبدیل انرژی آن به 51/2 درصد رسیده است که یک رکورد در میان پیل‌های خورشیدی مبتنی بر عناصر گروه 3 و 5 محسوب می‌شود.
انتهای پیام/
