به گزارش خبرنگار فناوریهای نوین باشگاه خبرنگاران؛ آزمایشگاه اندازهگیری پارامترهای سلولهای آفتابی در سه بخش اندازهگیری پارامترهای الکتریکی اپتیکی و مترولوژی و اندازهگیری مقاومت ورقهای و ضریب مقاومت لایههای نازک طراحی، ساخته و راه اندازی شده است.
بنابراین گزارش روشهای اندازهگیری پارامترهای الکتریکی سلولهای تک کریستال و پلی کریستال سیلبکان براساس استاندارد IEC60904_1 به صورت عملی پیاده گردید و پارامترهای ولتاژ باز VOC، جریان اتصال کوتاه ISC، ولتاژ ماکزیمم VMAX،جریان ماکزیمم IMAX توان خروجی ماکزیمم PMAX، مقاومت سربی و مقاومت سلولهای آفتابی اندازهگیری گردید.
براساس این گزارش اطاقک قسمت نمونه دستگاه اسپکترو فتومتر نصب میگردد و پدیده تداخل نور در محدوده نور فرابنفش و نور مریی اندازهگیری گردید که مقدار صخامت اکسید سیلیکون با استفاده از این روش در حدود 17461 انگستروم به دست آمد، چنانچه با استفاده از این دستگاه پروب چهار نقطهای با دقت بهتر از 0/1 درصد اندازهگیری گردید و مقدار مقاومت ورقهای به دست آمده در حدود 13/12 است.
انتهای پیام/